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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本申请提供一种避免浅沟槽隔离化学机械研磨蝶形凹陷的处理方法，涉及半导体工艺技术领域。所述避免浅沟槽隔离化学机械研磨蝶形凹陷的处理方法，包括：通过化学机械研磨对待加工产品进行粗磨，以将前层沉积产生的阶差高度降低至预设厚度，之后进行精细抛光；采用二氧化铈研磨液研磨至氮化物层露出或采用缓冲氧化物蚀刻溶液蚀刻至所述氮化物层露出，通过采用二氧化铈研磨液，在研磨过程中，带正电的二氧化铈研磨粒被带负电的添加剂粒子包围，遇到凸面时研磨粒子被释放出来对凸面产生抛光效果，而凹陷的二氧化硅表面研磨粒子始终被添加剂粒子包围，几乎没有抛光效果，能够达到选择性磨平凸面的效果，使得总体的加工平坦效率高；再利用磷酸溶液移除所述氮化物层，避免了蝶形凹陷的产生，也降低了化学机械研磨过程中氧化物的残留及对晶圆造成的刮伤问题。
主权项：1.一种避免浅沟槽隔离化学机械研磨蝶形凹陷的处理方法，其特征在于，包括：通过化学机械研磨对待加工产品进行粗磨，以将前层沉积产生的阶差高度降低至预设厚度，之后进行精细抛光；采用二氧化铈研磨液研磨至氮化物层露出或采用缓冲氧化物蚀刻溶液蚀刻至所述氮化物层露出；再利用磷酸溶液移除所述氮化物层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 一种避免浅沟槽隔离化学机械研磨蝶形凹陷的处理方法
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