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申请/专利权人：西北核技术研究所
摘要：本发明涉及半导体器件单粒子效应仿真方法，具体涉及一种构建离子径迹时域演化模型并将模型引入单粒子效应仿真的方法，用于解决现有单粒子效应器件级仿真无法精确表征入射离子径迹的时域演化特性、影响纳米器件单粒子效应预估准确性的问题。该构建离子径迹时域演化模型并将模型引入单粒子效应仿真的方法，建立了比传统解析模型更精确的离子径迹时域演化模型，考虑了离子种类、离子能量、靶材参数对离子径迹时域演化特性的影响，将建立的离子径迹时域演化模型成功引入TCAD仿真，提高了纳米器件单粒子效应预估的准确性。
主权项：1.构建离子径迹时域演化模型并将模型引入单粒子效应仿真的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、基于Geant4仿真，获取离子入射靶材后所产生的离子径迹的时域演化特性数据；时域演化特性数据包括离子在靶材中的能量沉积及对应时间；步骤2、通过对步骤1获取的离子径迹的时域演化特性数据进行拟合，构建离子径迹时域演化模型；步骤3、利用SentaurusTCAD建立并校准纳米器件仿真模型；步骤4、将步骤2构建的离子径迹时域演化模型引入步骤3建立的纳米器件仿真模型中，执行单粒子效应仿真，得到纳米器件的单粒子响应结果。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北核技术研究所 构建离子径迹时域演化模型并将模型引入单粒子效应仿真的方法
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