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用于3He极低温、脉冲强磁场NMR测量的样品杆和测量方法 

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申请/专利权人:华中科技大学

摘要:本申请属于固态核磁共振领域,具体公开了用于3He极低温、脉冲强磁场NMR测量的样品杆和测量方法。通过本申请,通过3He制冷插件为插入部分尾部创造1K以下的极低温环境,通过位置调节构件,调节样品在磁场中的位置,使其处在高均匀的磁场范围内;采用双通道测量电路,其中一通道测量样品的NMR信号,另一通道测量标准样品的NMR信号从而标定瞬时磁场的精确强度,结合双通道的测量可以得到样品的化学奈特位移,降低了核磁共振实验的误差,从而实现了极低温、脉冲强磁场下的核磁共振测量。

主权项:1.一种用于3He极低温、脉冲强磁场NMR测量的双通道样品杆,其特征在于,包括:样品杆主体和3He制冷插件;所述3He制冷插件,支持样品杆主体的一部分插入,并与样品杆主体可拆卸式连接,为插入部分形成密封环境,其具有3He连接口,用于接入和抽取3He,为插入部分尾部创造1K以下的极低温环境;所述样品杆主体包括:套筒、温控构件、主体支撑构件、位置调节构件、双通道NMR信号传输电路和第一KF四通;所述套筒,与主体支撑构件的尾部可拆卸式连接,以形成样品腔,所述样品腔用于放置并保护待测样品及其信号采集线圈、标准样品及其信号采集线圈;所述温控构件,固定在主体支撑构件的尾部,通过第一KF四通与温控仪连接,用于对样品进行温度检测和调节;所述主体支撑构件,用于支撑并连接位置调节构件和样品腔;所述位置调节构件,用于调节样品在磁场中水平方向的位置和或垂直方向的高度;所述双通道NMR信号传输电路,穿过主体支撑构件和位置调节构件的内部,通过第一KF四通与核磁共振谱仪连接,用于同时测量待测样品和标准样品的核磁共振信号;所述第一KF四通,对外提供温控仪接口和核磁共振谱仪接口,对内与位置调节构件可拆卸式连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华中科技大学 用于3He极低温、脉冲强磁场NMR测量的样品杆和测量方法

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