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申请/专利权人：广东天域半导体股份有限公司
摘要：本发明公开了一种去除碳化硅外延片揭膜后脏污的清洗方法，包括以下步骤：步骤S1：将晶片进行有机药液浸泡，分别使用丙酮和无水乙醇进行混合清洗；并将晶片转移至纯水槽中，进行第一次QDR清洗处理；步骤S2：将晶片进行SPM药液浸泡；并将晶片转移至纯水槽中，进行第二次QDR清洗处理；步骤S3：将晶片进行氨水药液浸泡，并将晶片转移至纯水槽中，进行第三次QDR清洗处理；步骤S4：进行自动式晶片双面清洗；本发明提供一种去除碳化硅外延片揭膜后脏污的清洗方法，能够有效去除碳化硅外延片揭膜后表面强吸附性的颗粒物及有机物，同时显著提高清洗效率。
主权项：1.一种去除碳化硅外延片揭膜后脏污的清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1：将晶片进行有机药液浸泡，分别使用丙酮和无水乙醇进行混合清洗；并将晶片转移至纯水槽中，进行第一次QDR清洗处理；步骤S2：将晶片进行SPM药液浸泡；并将晶片转移至纯水槽中，进行第二次QDR清洗处理；步骤S3：将晶片进行氨水药液浸泡，并将晶片转移至纯水槽中，进行第三次QDR清洗处理；步骤S4：进行自动式晶片双面清洗。
全文数据：
权利要求：
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