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申请/专利权人：亮锐有限责任公司
摘要：描述了微LED的结构和方法。微LED具有GaN半导体结构和多层反射器结构，该GaN半导体结构包含被配置为发射可见光波长范围的光的多量子阱有源区，该多层反射器结构包括分布式布拉格反射器DBR，该DBR在可见光波长范围具有最大反射率并且将由有源区发射的光反射朝向半导体结构的发射表面。多层反射器结构还具有在DBR和GaN结构之间的保护层，该保护层对于可见光波长的光是透明的。多层反射器结构还具有吸收可见光波长的光的吸收金属层。导电材料提供与半导体结构的电接触。
主权项：1.一种微发光二极管LED，包括：半导体结构，其包含被配置为发射预定可见光波长范围的光的有源区；和多层反射器结构，其包括窄带反射器，所述窄带反射器被配置成在预定可见光波长范围具有最大反射率，并且将由有源区发射的光反射朝向半导体结构的发射表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 亮锐有限责任公司 用于微LED阵列的窄带反射器
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