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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明公开了一种基于声表面波及二维材料的晶体管，针对现有技术中二维材料晶体管对载流子种类调控困难而提出本方案。二维材料堆叠区在压电层上表面依次层叠二维材料栅电极、栅介质层和二维材料沟道层；二维材料沟道层上表面分别设置漏极和源极；在栅源电压大于正阈值电压时为N型器件；在栅源电压小于负阈值电压时为P型器件；声波发生组件产生的声波通过压电层传输至二维材料堆叠区，并通过声电效应产生周期变化的电场以调控二维材料沟道层中载流子的运动。优点在于，在单个晶体管内只利用单一沟道层即可了实现N型和P型的自由转换。利用非接触的方式定向操控载流子运动，提高了对器件的调控能力；避免器件因其他调控手段复杂而增大尺寸。
主权项：1.一种基于声表面波及二维材料的晶体管，其特征在于，在压电层（10）上设有互相电性隔离的声波发生区和二维材料堆叠区；所述二维材料堆叠区在压电层（10）上表面依次层叠二维材料栅电极（12）、栅介质层（13）和二维材料沟道层（14）；所述二维材料沟道层（14）上表面分别设置漏极（15）和源极（16）；所述声波发生区上设有声波发生组件（11）；在栅源电压大于正阈值电压时，晶体管为N型器件；在栅源电压小于负阈值电压时，晶体管为P型器件；所述声波发生组件（11）产生的声波通过压电层（10）传输至二维材料堆叠区，并通过声电效应产生周期变化的电场以调控二维材料沟道层（14）中载流子的运动。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 一种基于声表面波及二维材料的晶体管
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