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申请/专利权人：湖北华瑞科技有限公司
摘要：本发明属于无线通信技术领域，具体涉及一种基于人工表面等离子体激元的异面不对称的毫米波圆极化端射天线；该天线包括：上层金属层、介质基板和下层金属层；介质基板设置在上层金属层和下层金属层之间，上层金属层包括第一微带线、第一锥形过渡结构和第一辐射结构，第一微带线、第一过渡结构和第一辐射结构依次连接，第一辐射结构上刻蚀有人工表面等离子体激元辐射结构；下层金属层包括第二微带线、第二锥形过渡结构和第二辐射结构，第二微带线、第二过渡结构和第二辐射结构依次连接；本发明加工简单，成本低，馈电方式简单，增加了天线的增益且以低剖面实现了圆极化。
主权项：1.一种基于人工表面等离子体激元的异面不对称的毫米波圆极化端射天线，其特征在于，包括：上层金属层、介质基板和下层金属层；介质基板设置在上层金属层和下层金属层之间，上层金属层包括第一微带线、第一锥形过渡结构和第一辐射结构，第一微带线、第一过渡结构和第一辐射结构依次连接，第一辐射结构上刻蚀有人工表面等离子体激元辐射结构；下层金属层包括第二微带线、第二锥形过渡结构和第二辐射结构，第二微带线、第二过渡结构和第二辐射结构依次连接；人工表面等离子体激元辐射结构与下层辐射结构形成异面不对称结构，共同作用产生端射圆极化波；第一过渡结构为直角梯形，第二过渡结构为梯形；第一过渡结构的上底长度与第一微带线的宽度相等，第二过渡结构的下底长度与第二微带线的宽度相等，第二过渡结构的高与第一过渡结构相等，第一过渡结构的下底长度与第二过渡结构的上底长度相等；第一辐射结构和第二辐射结构均为直角梯形，第一辐射结构的下底长度与第一过渡结构的下底长度相等，第二辐射结构的下底长度与第二过渡结构的上底长度相等，第一辐射结构与第二辐射结构的高、上底长度分别相等；第一辐射结构与第二辐射结构的上底位于同一直线上，形成喇叭状开口。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北华瑞科技有限公司 一种基于人工表面等离子体激元的异面不对称的毫米波圆极化端射天线
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