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申请/专利权人：天津理工大学

摘要：本发明公开了一种紫外光和可见光双波段光电探测器及其制备方法，本发明在N型GaAs衬底上依次生长N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs背面空穴阻挡层、非故意掺杂GaAs吸收层、P型AlGaAs窗口层和P型GaAs接触层，并在探测器上沉积GaO薄膜。本发明能够共用检测电极不会影响电流的正常流动，从而实现共用光入射窗口和检测电极，在成本、集成度和焦平面拓展等方面具有更高的商用价值。

主权项：1.一种紫外光和可见光双波段光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，利用MOCVD或者MBE的沉积方式在N型GaAs衬底上依次生长N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs背面空穴阻挡层、非故意掺杂GaAs吸收层、P型AlGaAs窗口层和P型GaAs接触层；步骤二，在P型GaAs接触层的上表面涂抹光刻胶，以形成GaAs欧姆接触图形，在剩余未涂抹光刻胶的P型GaAs接触层的上表面，利用选择性湿法刻蚀向下腐蚀，腐蚀停止在P型AlGaAs窗口层的上表面，刻蚀完成后去除光刻胶，形成GaAs欧姆接触图形；步骤三，利用光刻胶在GaAs欧姆接触图形上形成P金属图形，利用电子束蒸发或者磁控溅射在P金属图形上蒸镀金属并进行金属剥离，退火，得到P金属电极，P金属电极的上表面的接触为欧姆接触；步骤四，在AlGaAs窗口层上表面，以及P金属电极的上表面涂抹光刻胶，形成Mesa图形，在未涂抹光刻胶的区域，利用干法刻蚀或湿法刻蚀，从AlGaAs窗口层上表面向下腐蚀，腐蚀停止在N型GaAs缓冲层的内部，腐蚀完成后，去除光刻胶，形成Mesa凸台区域；步骤五，利用旋涂的方法在所述Mesa凸台区域的顶部的外缘涂抹一圈PBO或BCB光敏环氧树脂材料，以及其外侧面和底部外缘涂抹PBO或BCB光敏环氧树脂材料，在所有PBO或BCB光敏环氧树脂材料的外表面利用光刻法进行曝光和显影，形成PBO或BCB环氧树脂图形，对环氧树脂图形进行固化处理，形成对Mesa凸台侧壁的钝化保护；步骤六，在所述N型GaAs衬底的背面进行减薄和抛光；步骤七，利用磁控溅射的方法在所述N型GaAs衬底的背面淀积GaO薄膜；步骤八，利用PECVD、磁控溅射、电子束蒸发或者热蒸发的方法在所述GaO表面淀积多层减反膜；步骤九，利用光刻胶在最底层的减反膜的表面形成VIA孔洞图形，利用刻蚀的方法去除VIA孔洞图形上方的多层减反膜，使得GaO薄膜暴露出来，刻蚀完成后去除光刻胶，在GaO薄膜表面形成金属接触，得到VIA孔洞；步骤十，利用光刻胶在所述VIA孔洞上形成N金属图形，利用电子束蒸发或者磁控溅射蒸镀金属并进行金属剥离、退火，得到N金属电极，N金属电极与GaO薄膜的接触为欧姆接触。

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