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申请/专利权人：中国矿业大学
摘要：本发明公开了一种低延迟LIN总线控制电路及控制方法，控制电路包括电阻R1、电阻R1分别与电容C2、C3、NMOS管M2相连，还包括开关、电流镜等器件组成低延迟LIN总线控制电路，通过低延迟LIN总线控制电路的控制方法，当发送端TXD信号变化时，电压节点VG电压能够提前变化；下拉管M2的栅端电压从非0V电压进行上升或从非VDD电压进行下降，从而达到LIN总线对TXD发来的信号延迟会减小。
主权项：1.一种低延迟LIN总线控制电路，其特征在于，包括电阻R1，电阻R1的一端分成三路，一路通过电容C2接地，电阻R1与电容C2组成低通滤波器，一路与NMOS管M2的栅端相连，另一路通过电容C3分别与电阻Rload、NMOS管M2的漏端相连；其中电容C3是弥勒电容；电阻Rload的另一端与LIN总线供电电压VSUP_LIN相连；NMOS管M2的漏端还通过LIN总线即LIN-BUS线与电容Cload一端相连，电容Cload另一端接地，NMOS管M2的源端接地；电阻R1的另一端通过电压节点VG后分成两路，一路通过电容C1与开关S3的一端相连，另一路分别与开关S1、S2的一端相连；开关S3的另一端接地；开关S1的另一端与PMOS管M5的漏端相连，PMOS管M5的源端接VDD，PMOS管M5栅端分别与PMOS管M8、PMOS管M4的栅端相连；PMOS管M4的栅端还分别与PMOS管M3的栅端、漏端相连，PMOS管M4的漏端与NMOS管M6的漏端相连；PMOS管M3的漏端还通过基准电流接地；PMOS管M8的漏端分成两路，一路连接与电容C1和开关S3之间，另一路分别与NOMS管M9漏端、栅端相连；NMOS管M9的源端接地；PMOS管M3、M4、M8的源端分别与VDD相连；开关S2的另一端与NMOS管M7的漏端相连，NMOS管M7的源端接地，NMOS管M7的栅端分别与NMOS管M6的漏端、栅端相连；NMOS管M6的源端接地。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国矿业大学 一种低延迟LIN总线控制电路及控制方法
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