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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请提供一种改善刻蚀机台造成的晶圆边缘缺陷的方法，包括：步骤一，在刻蚀机台的定期保养期间，对静电吸盘实施升温操作，使静电吸盘和上部边缘环紧密贴合；步骤二，对静电吸盘实施降温操作，使静电吸盘的外周和上部边缘环呈同心圆；步骤三，实施暖机操作后，通过检测监控晶圆边缘缺陷的分布情况。在刻蚀机台定期保养期间，根据静电吸盘材质热胀冷缩的特点，调整静电吸盘与上部边缘环之间的距离，有效降低晶圆边缘缺陷的发生率。
主权项：1.一种改善刻蚀机台造成的晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，在刻蚀机台的定期保养期间，对静电吸盘实施升温操作，使所述静电吸盘和上部边缘环紧密贴合；步骤二，对所述静电吸盘实施降温操作，使所述静电吸盘的外周和所述上部边缘环呈同心圆；步骤三，实施暖机操作后，通过检测监控晶圆边缘缺陷的分布情况。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 改善刻蚀机台造成的晶圆边缘缺陷的方法
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