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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
摘要：本申请公开了一种碲镉汞雪崩探测器器件结构及雪崩探测器，涉及半导体技术，包括衬底层、p型收集层、吸收层、过渡层、漂移增强层、i型倍增层及n型收集层等。通过设置漂移增强层HgCdTe层，Cd组分采用阶梯状缓变以保持能级缓慢过渡，有利于场强增加，并恰当的漂移层厚度增强漂移大小，提高器件雪崩效应。在吸收层和漂移增强层之间加入p型低掺HgCdTe过渡层，过渡层Cd组分采用高斯状态缓变，形成势垒，保持能级缓慢过渡，均匀器件电场，不影响器件的高性能，并有效减小暗电流。
主权项：1.一种碲镉汞雪崩探测器器件结构，其特征在于，包括顺次生长的衬底层、第一收集层、吸收层、过渡层、漂移增强层、倍增层及第二收集层，其中，所述衬底层，为衬底或复合衬底；所述第一收集层，P型结构，生长在所述衬底或所述复合衬底上，掺杂Hg空位；所述吸收层，P型结构，生长在所述第一收集层上，掺杂Hg空位；所述过渡层，P型结构，生长在所述吸收层上，掺杂Hg空位，且所述过渡层的Cd组分采用高斯状态缓变形成势垒层；所述漂移增强层，生长在所述过渡层上，低掺p型HgCdTe，掺杂Hg空位，所述漂移增强层的Cd组分采用阶梯状缓变；所述倍增层，i型结构，生长在所述漂移增强层上，掺杂In；所述第二收集层，n型结构，掺杂In，其掺杂In的浓度高于所述倍增层掺杂In的浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十一研究所 一种碲镉汞雪崩探测器器件结构及雪崩探测器
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