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申请/专利权人：武汉敏芯半导体股份有限公司
摘要：本申请提供了一种背照式光电二极管、接近传感器及电子设备，其中背照式光电二极管包括：第一电极；光吸收层，光吸收层设置于第一电极的一侧，光吸收层为InGaAs，光吸收层的厚度为3.0μm‑6.0μm；滤波层，滤波层为InP，滤波层设置于光吸收层背离第一电极的一侧，滤波层的厚度为100μm‑180μm，滤波层的禁带宽度为1.34eV，用于吸收波长在400nm‑800nm范围内的可见光并透过波长在1280nm‑1380nm范围内的探测光线至吸收层，以使光吸收层对可见光的响应度小于0.01AW；及第二电极，第二电极和第一电极设置于光吸收层的同一侧。其中背照式光电二极管采用背照结构设计，能够利用衬底作为可见光滤波层，降低了接近传感器生产成本，具有良好的经济效益；同时通过设置滤波层的厚度为100μm‑180μm能够将可见光吸收99.99％以上。
主权项：1.一种背照式光电二极管，其特征在于，所述背照式光电二极管包括：第一电极1；光吸收层3，光吸收层3设置于所述第一电极1的一侧，所述光吸收层3为InGaAs，所述光吸收层3的厚度为3.0μm-6.0μm；滤波层4，所述滤波层4为InP，所述滤波层4设置于所述光吸收层3背离所述第一电极1的一侧，所述滤波层4的厚度为100μm-180μm，所述滤波层4的禁带宽度为1.34eV，用于吸收波长在400nm-800nm范围内的可见光并透过波长在1280nm-1380nm范围内的探测光线至吸收层，以使所述光吸收层3对所述可见光的响应度小于0.01AW；及第二电极2，所述第二电极2和所述第一电极1设置于所述光吸收层3的同一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉敏芯半导体股份有限公司 背照式光电二极管、接近传感器及电子设备
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