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申请/专利权人：国立大学法人大阪大学;松下控股株式会社
摘要：本发明提供一种制造高品质的III族氮化物结晶的方法。III族氮化物结晶的制造方法包括：晶种准备工序，在基板上准备多个点状的III族氮化物作为用于生长III族氮化物结晶的多个晶种；以及结晶生长工序，在包含氮的气氛下，使上述晶种的表面接触包含选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素以及碱金属的熔液，由此使III族元素与氮在熔液中发生反应而使III族氮化物结晶生长，结晶生长工序包括：成核工序，由多个晶种形成晶核；棱锥生长工序，使棱锥形状的第一III族氮化物结晶由多个晶核生长；以及横向生长工序，使第二III族氮化物结晶以填埋多个棱锥形状的第一III族氮化物结晶的间隙而使表面平坦的方式生长。
主权项：1.一种III族氮化物结晶的制造方法，其包括：晶种准备工序，在基板上准备多个点状的III族氮化物作为用于生长III族氮化物结晶的多个晶种；以及结晶生长工序，在包含氮的气氛下，使所述晶种的表面接触包含选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素以及碱金属的熔液，由此使所述III族元素与所述氮在所述熔液中发生反应而使所述III族氮化物结晶生长，所述结晶生长工序包括：成核工序，由所述多个晶种形成晶核；棱锥生长工序，使多个棱锥形状的第一III族氮化物结晶由多个所述晶核生长；横向生长工序，使第二III族氮化物结晶以填埋所述多个棱锥形状的第一III族氮化物结晶的间隙而使表面平坦的方式生长；以及在所述横向生长工序之后，使表面平坦的第三III族氮化物结晶生长的平坦厚膜生长工序，所述成核工序在874℃以下进行，所述棱锥生长工序中，将结晶生长温度设为877℃以上，所述横向生长工序中，将结晶生长温度设为877℃以上，所述平坦厚膜生长工序中，将结晶生长温度设为870℃～874℃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国立大学法人大阪大学 松下控股株式会社 III族氮化物结晶的制造方法
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