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申请/专利权人：淮安捷泰新能源科技有限公司
摘要：本发明公开了一种采用新型隧穿氧化层的TOPCon电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域，包括晶硅基底，所述晶硅基底背面由内到外依次设置有隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅层，所述晶硅基底正面由内到外设置有P+掺杂层；所述隧穿氧化层为Al2O3薄膜，且其厚度为1~2nm。本发明的有益效果是：通过用超薄氧化铝层替换隧穿氧化层中的超薄氧化硅层，使c‑SiAl2O3的接触界面相较于c‑SiSiOx界面有更低的缺陷态密度，Al2O3层能更有效的阻挡磷的推进，降低晶硅基底附近掩埋掺杂区浓度，大大提高界面钝化效果，从而达到降低界面复合，提高开路电压，有利于界面载流子的传输，提高长波响应。
主权项：1.一种采用新型隧穿氧化层的TOPCon电池，其特征在于，包括晶硅基底，所述晶硅基底背面由内到外依次设置有隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅层，所述晶硅基底正面由内到外设置有P+掺杂层；所述隧穿氧化层为Al2O3薄膜，且其厚度为1~2nm。
全文数据：
权利要求：
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