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申请/专利权人：欧昊新能源电力(甘肃)有限责任公司

摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体是一种HJT电池生产制绒后新型返工工艺。一种HJT电池生产制绒后新型返工工艺，所述HJT电池生产制绒后新型返工工艺包含步骤：S1上料、S2去PSG、S3水洗1、S4SDE粗抛、S5水洗2、S6前清洗、S7水洗3、S8制绒、S9水洗4、S10后清洗、S11水洗5、S12圆角化、S13水洗6、S14酸洗、S15水洗7、S16慢提拉、S17烘干。通过对常规HJT电池生产制绒后返工工艺优化升级，流程中水洗1之后，水洗2之前，引入粗抛工艺并优化SDE槽工艺配方即降低浓度、降低工艺温度、延长工艺时间，在返工生产中有效避免了SDE槽飘篮压篮漏提篮情况的发生，确保了工艺制程稳定，对制绒后有顽固外观不良印记的硅片仅返工一次即可完全清除外观不良，高效达成返工目的。

主权项：1.一种HJT电池生产制绒后新型返工工艺，其特征在于：所述HJT电池生产制绒后新型返工工艺包含步骤：S1进料:将外观不良返工片从制绒下料运回制绒上料通过自动化再次进料；S2去PSG：去除有机物、杂质；S3水洗1：纯水清洗，去除硅片表面残留化学品；S4SDE粗抛：去除硅片表面机械损伤层,同步去除顽固外观不良印记；S5水洗2：纯水清洗，去除硅片表面残留化学品；S6前清洗：去除硅片表面脏污、手指印，产生洁净的微表面氧化层为制绒做准备；S7水洗3：纯水清洗，去除硅片表面药液残留；S8制绒：去除硅片表面机械损伤层减少复合中心，形成金字塔绒面，利用光陷阱减少光反射、增加光吸收；S9水洗4：纯水清洗，去除硅片表面残留化学品；S10后清洗：去除硅片表面添加剂残留；S11水洗5：纯水清洗，去除硅片表面残留化学品；S12圆角化：抛光打磨金字塔，利于PECVD成膜的均匀性；S13水洗6：纯水清洗，去除硅片表面残留化学品；S14酸洗：去除硅片表面的氧化层形成疏水层；S15水洗7：纯水清洗，去除硅片表面残留化学品；S16慢提拉：去除硅片表面残留的酸液以及已经脱附的杂质，慢提以及斜拉便于烘干；S17烘干：烘干硅片表面及花篮；所述S4SDE粗抛采用EL级质量分数48％KOH溶液，浓度为3.5—4.0％的，电导率≤1.5μScm，无篮鼓泡模式，在温度67—80℃条件下清洗140—200s；所述S2去PSG中采用UP级质量分数49％的HF和质量分数37％的HCL配比100:1的浓度为3.0—3.5％的混合溶液并溶入浓度40—50ppm的O3，电导率≤1.5μScm，在温度20—25℃条件下清洗150—250s；S6前清洗中采用EL级质量分数48％的KOH和UP级质量分数31％的H2O2配比1:20的浓度为13.0—20.0％混合溶液，电导率≤1.5μScm，在温度65—75℃条件下清洗150—200s。

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