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申请/专利权人：浙江工业大学
摘要：本发明公开了一种利用激光自组装制备氧化铈纳米柱阵列结构忆阻器的方法，包括：步骤1，将氧化铈靶材固定于脉冲激光沉积仪真空腔室的靶材托；将单晶NSTO衬底置于样品托上；步骤2，将真空腔室抽至真空，设置真空腔室的参数和激光参数，通过脉冲激光轰击靶材，脉冲激光的重复频率为1‑8Hz；步骤3，激光打击完毕后，待真空腔室温度自然降到常温后，取出并得到底电极层和阻变存储层的组合件；步骤4，采用磁控溅射镀膜工艺在步骤3制备的阻变存储层表面镀膜沉积顶电极层，得到氧化铈纳米柱忆阻器。本发明可实现氧化铈纳米结构的可控设计。本发明所设计的氧化铈纳米柱忆阻器具有高稳定性、高可靠性、高阻变开关比。
主权项：1.一种利用激光自组装制备氧化铈纳米柱阵列结构忆阻器的方法，所述氧化铈纳米柱忆阻器包括自下而上依次堆叠的底电极层、阻变存储层以及顶电极层，所述阻变存储层为氧化铈纳米柱阵列结构，所述顶电极层包括按多个阵列分布的Pt顶电极，其特征在于，包含以下步骤：步骤1，将氧化铈靶材固定于脉冲激光沉积仪真空腔室的靶材托；将清洗好的单晶NSTO衬底置于真空腔室内的样品托上，单晶NSTO衬底作为氧化铈纳米柱阵列结构忆阻器的底电极层；步骤2，将真空腔室抽至真空，设置真空腔室的参数和激光参数，通过脉冲激光轰击靶材，脉冲激光的重复频率为1-8Hz；步骤3，激光打击完毕后，待真空腔室温度自然降到常温后，取出并得到底电极层和阻变存储层的组合件；步骤4，采用磁控溅射镀膜工艺在步骤3制备的阻变存储层表面镀膜沉积顶电极层，得到氧化铈纳米柱忆阻器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江工业大学 利用激光自组装制备氧化铈纳米柱阵列结构忆阻器的方法
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