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申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：一种单光子雪崩二极管，包括第一掺杂结构111、第二掺杂结构130、第一掺杂材料层110、第二掺杂材料层120和覆盖材料141。第一掺杂结构111和第一掺杂材料层110的掺杂类型相反，第一掺杂结构111的存在会改变第一掺杂材料层110内部的电场，尤其是改变了第一掺杂材料层110中的横向电场，使第一掺杂材料层110中的横向电势梯度增大，同时覆盖材料促进光生载流子从边缘向中心移动，促进光生载流子向第二掺杂结构130的聚集，从而容易经过雪崩区被第二掺杂结构130所接收，降低了有效吸收区与高电场区域的大小的关联度。从而可以减少载流子移动时间，降低移动载流子移动过程中的损耗，提高电荷收集效率，提高光探测效率，减少时间抖动，提高测距精度。
主权项：1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括第一掺杂结构、第二掺杂结构、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和覆盖材料；所述第一掺杂材料层、所述第二掺杂材料层和所述第二掺杂结构依次在纵向上堆叠；所述第一掺杂结构位于所述第一掺杂材料层内部；所述第二掺杂结构与所述第二掺杂材料层相邻近的部分用于形成雪崩区；所述第二掺杂结构和所述第一掺杂结构在水平面的投影不重叠；所述第一掺杂结构与所述第二掺杂材料层的掺杂类型一致，与所述第二掺杂结构、所述第一掺杂材料层的掺杂类型相反，所述第一掺杂材料层掺杂浓度低于所述第二掺杂结构的掺杂浓度；所述覆盖材料覆盖所述第一掺杂材料层的表面，用于提供使所述第一掺杂材料层中的多子从边缘向中心运动的电场。
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权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 一种单光子雪崩二极管及其制造方法、光检测器件及系统
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