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申请/专利权人:成都玖锦科技有限公司
摘要:本发明涉及阻抗变换器领域,具体涉及一种输入直流耦合且输入偏置可调的宽带阻抗变换器,具有可调输入偏置并能在宽频带内放大信号。本发明提供一种基于差分结构的、可调输入偏置的宽带阻抗变换器,包含一个输入端口,两个输出端口,一对共源共栅晶体管差分对,一对对称的输入缓冲级,一个尾电流源,两个缓冲级电流源,一个外部栅极电压源,若干电阻和隔直电容,共源共栅晶体管差分对由两个对称的共源共栅晶体管构成。对于一侧的共源共栅晶体管:由两个晶体管堆叠而成,其中一个晶体管的源极与另一个晶体管的漏极相连,组成共源共栅结构。本发明适用于阻抗变换器结构。
主权项:1.一种输入直流耦合且输入偏置可调的宽带阻抗变换器,其特征在于,包括第一晶体管pHEMT1、第二晶体管pHEMT2、第三晶体管pHEMT3、第四晶体管pHEMT4、第五晶体管pHEMT5、第六晶体管pHEMT6、第一电流源I1、第二电流源I2以及第三电流源I3;所述第二晶体管pHEMT2的源级与第三晶体管pHEMT3的漏极连接,第三晶体管pHEMT3的源级分别与第五晶体管pHEMT5的源级以及第二电流源I2连接,第二晶体管pHEMT2的漏极作为第一信号输出端,并与漏极电压源VDD连接,第五晶体管pHEMT5的漏极与第四晶体管pHEMT4的源级连接,第四晶体管pHEMT4的漏极作为第二信号输出端,并与漏极电压源VDD连接;所述第二晶体管pHEMT2的栅极与第一晶体管pHEMT1的漏极连接,第一晶体管pHEMT1的漏极与栅极电压源Vg连接,第一晶体管pHEMT1的源级分别与第三晶体管pHEMT3的栅极以及第一电流源I1连接,第一晶体管pHEMT1的栅极接收输入信号;所述第四晶体管pHEMT4的栅极与第六晶体管pHEMT6的漏极连接,第六晶体管pHEMT6的漏极与栅极电压源Vg连接,第六晶体管pHEMT6的源级分别与第五晶体管pHEMT5的栅极以及第三电流源I3连接,第六晶体管pHEMT6的栅极与栅极电压源Vg连接。
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