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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：描述制造可称为量子点的多层半导体颗粒的方法。方法包括将第一含锌化合物及含硒化合物结合以形成ZnSe混合物。在少于或约5秒内将含锌化合物及含硒化合物快速结合。方法亦包括：向ZnSe混合物中添加含碲化合物，以在ZnSeTe混合物中形成至少一个ZnSeTe颗粒。方法更进一步包括：在ZnSeTe颗粒上形成第一壳层并在第一壳层上形成第二壳层，以制成多层半导体颗粒。在另外实施方式中，可快速搅拌反应物及颗粒混合物。该多层半导体颗粒发射的光的特征可在于增强的窄频带发射轮廓亦即锐度。
主权项：1.一种制造多层半导体颗粒的方法，所述方法包括：将第一含锌化合物及含硒化合物结合，以形成ZnSe混合物，其中在少于或约5秒内将所述含锌化合物及所述含硒化合物结合；向所述ZnSe混合物添加含碲化合物，以在ZnSeTe混合物中形成至少一个ZnSeTe颗粒；在所述ZnSeTe颗粒上形成第一壳层；及在形成于所述ZnSeTe颗粒上的所述第一壳层上形成第二壳层，以制造所述多层半导体颗粒。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 窄频带量子点及其制造方法
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