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申请/专利权人：微纳动力(北京)科技有限责任公司
摘要：本发明提供了一种双层光电镊芯片及其制造方法，涉及生物芯片技术领域，包括上基底和下基底，上基底和下基底之间设有若干隔离墙，相邻隔离墙之间设置有流道，上基底包括玻璃，玻璃上设置有ITO层，ITO层上设置有第二光电层，第二光电层设置于隔离墙上，下基底包括衬底，衬底上设置有第一光电层，第一光电层与隔离墙相接触。通过设置第一光电层和第二光电层，流道中的颗粒分别受到上下两边的力的作用，从而增加了入射光的转换效率，使得流道中的颗粒受力均匀，减少颗粒的移动的阻力，提高光电镊芯片性能。
主权项：1.一种双层光电镊芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：获取玻璃（2），在玻璃（2）上设置ITO层（3），然后在ITO层（3）上设置IGZ0半导体层；S2：获取衬底（9），衬底（9）上安装光电器件层，然后对光电器件层进行填充，形成若干填充区域；S3：采用光刻显影蚀刻工艺对填充区域进行刻蚀，刻蚀后形成绝缘层；S4：在绝缘层上安装隔离墙（5），然后通过粘接组件将粘接剂涂到IGZ0半导体层上，然后对IGZ0半导体层和隔离墙（5）粘接；双层光电镊芯片包括上基底（1）和下基底（7），上基底（1）和下基底（7）之间设有若干隔离墙（5），相邻隔离墙（5）之间设置有流道（6），上基底（1）包括玻璃（2），玻璃（2）上设置有ITO层（3），ITO层（3）上设置有第二光电层（4），第二光电层（4）设置于隔离墙（5）上，下基底（7）包括衬底（9），衬底（9）上设置有第一光电层（8），第一光电层（8）与隔离墙（5）相接触。
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权利要求：
百度查询： 微纳动力(北京)科技有限责任公司 一种双层光电镊芯片及其制造方法
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