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单光子雪崩二极管 

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申请/专利权人:季华实验室

摘要:本发明涉及光学检测技术领域,尤其涉及一种单光子雪崩二极管,单光子雪崩二极管包括外延层,外延层顶部有埋层以及环绕于埋层外的阱层,阱层朝向埋层的内侧设置有保护环,埋层开设有尖头朝下的锥型凹槽,在锥型凹槽的周向外设置有包裹锥型凹槽的掺杂区;外延层、阱层和埋层为P型和N型中的其中一种,保护环和掺杂区均为P型和N型中的另一种。本申请通过锥型凹槽改变内部掺杂浓度的分布,通过调整内部电场的分布进而调整电子进入雪崩区的位置分布,调整电场强度分布和掺杂浓度分布共同使得雪崩触发概率分布更加均匀,从而提高可实现的PDE最大探测效率,同时在阱层内侧设置有保护环,可实现对于耗尽层内电场的调控,实现对于PDE的提高。

主权项:1.一种单光子雪崩二极管,其特征在于,包括:外延层,所述外延层顶部有埋层以及环绕于所述埋层外的阱层,所述阱层朝向所述埋层的内侧设置有保护环,所述埋层开设有尖头朝下的锥型凹槽,在所述锥型凹槽的周向外设置有包裹所述锥型凹槽的掺杂区,所述掺杂区与所述埋层形成非平面PN结;所述外延层、所述阱层和所述埋层为P型和N型中的其中一种,所述保护环和所述掺杂区均为P型和N型中的另一种;所述锥型凹槽处设置有与所述锥型凹槽形状适配的阴电极,所述阴电极填满并外露于所述锥型凹槽,所述阱层的顶部设置有阳电极;所述外延层外包裹有一层导流层,所述导流层的材质与所述外延层的材质相同,且所述导流层的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。

全文数据:

权利要求:

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