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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要：本公开涉及一种具有从围绕半导体通孔的电介质衬里延伸的气隙的结构。一种结构包括位于半导体衬底中的半导体通孔TSV、以及围绕TSV且位于TSV和半导体衬底之间的电介质衬里。多个非连续气隙位于半导体衬底中且远离电介质衬里例如，径向地延伸。非连续气隙减少了寄生耦合电容并且缓解了半导体衬底中的应力。
主权项：1.一种结构，包括：半导体通孔TSV，其位于半导体衬底中；电介质衬里，其围绕所述TSV且位于所述TSV和所述半导体衬底之间；以及多个非连续气隙，其位于所述半导体衬底中且远离所述电介质衬里延伸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有从围绕半导体通孔的电介质衬里延伸的气隙的结构
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