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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要：本发明提供一种碳化硅基半有源耦合检波限幅器及其组件，该限幅器包括上层芯片和下层芯片。上层芯片包括硅基PIN二极管。下层芯片包括碳化硅衬底、碳化硅肖特基二极管和辅助电路。碳化硅肖特基二极管和辅助电路通过芯片制造工艺制备在碳化硅衬底上，其中，辅助电路包括耦合器、匹配电路和键合焊盘。硅基PIN二极管通过键合焊盘键合在碳化硅衬底上。本发明实施例将功率容量大的硅基PIN二极管与热导率高的碳化硅基肖特基二极管相结合，在确保限幅器高耐受功率的同时，大幅度缩小电路尺寸，提升了集成度。
主权项：1.一种碳化硅基半有源耦合检波限幅器，其特征在于，包括：上层芯片和下层芯片；所述上层芯片包括硅基PIN二极管；所述下层芯片包括碳化硅衬底、碳化硅肖特基二极管和辅助电路；所述碳化硅肖特基二极管和辅助电路通过芯片制造工艺制备在所述碳化硅衬底上，其中，所述辅助电路包括耦合器、匹配电路和键合焊盘；所述硅基PIN二极管通过键合焊盘键合在所述碳化硅衬底上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种碳化硅基半有源耦合检波限幅器及其组件
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