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申请/专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所

摘要：本发明公开一种高中低压兼容的双极结型晶体管及其制造方法，双极结型晶体管包括P型衬底、N型一次埋层、P型一次穿透隔离、N型一次外延层、N型二次埋层、P型二次穿透隔离、N型一次穿透、N型二次外延层、N型三次埋层、P型三次穿透隔离、N型二次穿透、N型三次外延层、P型四次穿透隔离、N型三次穿透、P型一次体区、N型一次重掺区、P型二次体区、N型二次重掺区、P型三次体区、N型三次重掺区、预氧层、场氧层、TEOS金属前介质层、发射极金属、集电极金属和基极金属；方法包括提供P型衬底，生长氧化层等步骤。本发明可以将高中低的耐压以及不同特征频率等特性的双极结型晶体管集成整合到同一套工艺中，实现器件库的多样性。

主权项：1.一种高中低压兼容的双极结型晶体管，其特征在于：包括所述P型衬底100、N型一次埋层101、P型一次穿透隔离102、N型一次外延层103、N型二次埋层104、P型二次穿透隔离105、N型一次穿透106、N型二次外延层107、N型三次埋层108、P型三次穿透隔离109、N型二次穿透110、N型三次外延层111、P型四次穿透隔离112、N型三次穿透113、P型一次体区116、N型一次重掺区119、P型二次体区117、N型二次重掺区120、P型三次体区118、N型三次重掺区121、预氧层114、场氧层115、TEOS金属前介质层122、发射极金属125、集电极金属123和基极金属124。所述N型一次埋层101位于P型衬底100上表面的L侧器件中心位置；所述P型一次穿透隔离102位于P型衬底100上表面L侧器件、中间器件和R侧器件的两端；所述N型一次外延层103位于P型衬底100之上；所述N型二次埋层104位于N型一次外延层103上表面的中间器件中心位置；所述P型二次穿透隔离105位于N型一次外延层103上表面L侧器件、中间器件和R侧器件的两端；所述N型一次穿透106位于L侧器件N型一次埋层101的L端，且底部与N型一次埋层101的顶部相连；所述N型二次外延层107位于N型一次外延层103之上；所述N型三次埋层108位于N型二次外延层107上表面的R侧器件中心位置；所述P型三次穿透隔离109位于N型二次外延层107上表面L侧器件、中间器件和R侧器件的两端；所述N型二次穿透110分为两个区域：第一个N型二次穿透区域位于L侧器件N型一次穿透106上，第二个N型二次穿透区域位于中间器件N型二次埋层104上；所述N型三次外延层111位于N型二次外延层107之上；所述P型四次穿透隔离112位于N型三次外延层111上表面三个器件的两端；所述N型三次穿透113分为三个区域：第一个N型三次穿透区域位于L侧器件N型二次穿透110上，第二个N型三次穿透区域位于中间器件N型二次穿透110上，第三个N型三次穿透区域位于R侧器件N型三次埋层108上；所述P型一次体区116位于L侧器件N型三次外延层111R侧位置；所述N型一次重掺区119分为两个区域：第一个N型一次重掺区域位于L侧器件N型三次穿透113中；第二个N型一次重掺区域位于L侧器件P型一次体区116的R侧；所述P型二次体区117位于中间器件N型三次外延层111R侧位置；所述N型二次重掺区120分为两个区域：第一个N型二次重掺区域位于中间器件N型三次穿透113中；第二个N型二次重掺区域位于中间器件P型二次体区117的R侧；所述P型三次体区118位于R侧器件N型三次外延层111R侧位置；所述N型三次重掺区121分为两个区域：第一个N型三次重掺区域位于R侧器件N型三次穿透113中；第二个N型三次重掺区域位于R侧器件P型三次体区118的R侧；所述场氧层115位于L侧器件N型三次穿透113中的N型一次重掺区119的外侧、L侧器件N型三次穿透113中的N型一次重掺区119和P型一次体区116之间的上表面、P型一次体区116和中间器件N型三次穿透113中的N型二次重掺区120之间的上表面、中间器件N型三次穿透113中的N型二次重掺区120和P型二次体区117之间的上表面、P型二次体区117和R侧器件N型三次穿透113中的N型三次重掺区121之间的上表面、R侧器件N型三次穿透113中的N型三次重掺区121和P型三次体区118之间的上表面、R侧器件P型三次体区118的外侧；所述预氧层114位于N型三次外延层111之上的场氧层115之间的位置；所述TEOS金属前介质层122覆盖在整个器件表面的未开接触孔的位置；所述发射极金属125位于P型一、二、三次体区116117118之内的N型一、二、三次重掺区119120121的接触孔内；所述基极金属124位于P型一、二、三次体区116117118之内的接触孔内；所述集电极金属123位于N型三次穿透113之内的N型一、二、三次重掺区119120121的接触孔内。

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