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申请/专利权人：厦门福纳新材料科技有限公司
摘要：本发明涉及一种气态单质碳合成碳化硅的制备方法，包括以下步骤：S1，在反应室1放置碳源，加热碳源，获得气态单质碳，所述碳源为高纯富勒烯；S2，在反应室2放置硅源，加热硅源，加热到1100～1900℃；S3，在惰性气体氛围保护下，气态单质碳流入反应室2中，保温反应4‑10h，所述气态单质碳和所述硅源反应，反应完成后进行冷却，得到碳化硅。该方法制备得到的碳化硅具有大颗粒和高纯度的特点，有利于提高半导体材料的性能，具有极好的工业运用前景。
主权项：1.一种气态单质碳合成碳化硅的制备方法，其特征在于：在反应室1内放置碳源，在反应室2内放置硅源，所述碳源为富勒烯，使所述碳源受热后获得气态单质碳，将所述气态单质碳引入所述反应室2中，与事先加热的所述硅源反应，反应完成后进行冷却，得到碳化硅。
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权利要求：
百度查询： 厦门福纳新材料科技有限公司 一种气态单质碳合成碳化硅的制备方法
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