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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日：2024-04-18
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118091835B
主分类号：G02B6/12
分类号：G02B6/12;G02B6/14
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明实施例提供了一种薄膜铌酸锂模斑转换器，涉及光通信领域，薄膜铌酸锂模斑转换器包括：衬底层；绝缘层；铌酸锂光波导；填充层；第二光波导；引导片；引导片布设于第二光波导两侧，引导片的侧边接触于第二光波导的边沿，引导片用于引导光信号从第二光波导进入铌酸锂光波导。本发明实施例提供的薄膜铌酸锂模斑转换器通过高折射率的引导片引导光信号自第二光波导耦合进入铌酸锂光波导，提高了耦合效率，降低了对光波导特征尺寸要求，从而无需电子束光刻制作，降低了制作成本。
主权项：1.一种薄膜铌酸锂模斑转换器，其特征在于，包括：衬底层；绝缘层，设于所述衬底层表面；铌酸锂光波导，设于所述绝缘层上，用于和片上光器件相接；填充层，设于所述绝缘层上，所述填充层和所述铌酸锂光波导等高且边沿相接；第二光波导，设于所述铌酸锂光波导和所述填充层上，用于耦合外部光纤，接收光信号；引导片，布设于所述第二光波导两侧，所述引导片的侧边接触于所述第二光波导的边沿；所述引导片用于引导所述光信号从所述第二光波导进入所述铌酸锂光波导，所述引导片为非晶硅片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 薄膜铌酸锂模斑转换器
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