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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日：2024-04-12
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118039522B
主分类号：H01L21/66
分类号：H01L21/66;G06F18/2433;G06F11/30
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2024.05.31#实质审查的生效;2024.05.14#公开
摘要：本申请涉及一种晶体管测试方法及存储器监控方法。该晶体管测试方法包括：向待测晶体管的栅极施加工作电压，将待测晶体管的源极接地，根据施加于待测晶体管漏极的第一测试电压与第一测试电压作用下的第一测试电流的变化关系，得到第一电流‑电压特性曲线；继续向栅极施加工作电压，将漏极接地，根据施加于源极的第二测试电压与第二测试电压作用下的第二测试电流的变化关系，得到第二电流‑电压特性曲线；将第一电流‑电压特性曲线和第二电流‑电压特性曲线进行对比得到差异度，当差异度超出预设阈值时，判定待测晶体管存在异常。该晶体管测试方法能够全面地对待测晶体管是否存在缺陷进行检测，防止含缺陷晶体管的芯片流出，以提升产品良率。
主权项：1.一种晶体管测试方法，其特征在于，包括：向待测晶体管的栅极施加工作电压，将所述待测晶体管的源极接地，根据施加于所述待测晶体管漏极的第一测试电压与所述第一测试电压作用下的第一测试电流的变化关系，得到第一电流-电压特性曲线；继续向所述栅极施加所述工作电压，将所述漏极接地，根据施加于所述源极的第二测试电压与所述第二测试电压作用下的第二测试电流的变化关系，得到第二电流-电压特性曲线；将所述第一电流-电压特性曲线和所述第二电流-电压特性曲线进行对比得到差异度，当所述差异度超出预设阈值时，判定所述待测晶体管存在异常；其中，所述当所述差异度超出预设阈值时，判定所述待测晶体管存在异常，包括：若所述差异度超出预设阈值，且所述第一电流-电压特性曲线位于所述第二电流-电压特性曲线的下方，则判定所述源极存在异常。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 晶体管测试方法及存储器监控方法
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