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申请/专利权人：中国科学院物理研究所
申请日：2023-03-15
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN116240419B
主分类号：C22C5/04
分类号：C22C5/04;C30B29/52;C30B28/06;C30B9/06;C23C14/28;C23C14/16;C23C14/58;C22C1/02;G16C60/00;G16C20/30;H10B53/00;H10B51/00;H01L29/78;H10N50/10;H10N30/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2023.06.27#实质审查的生效;2023.06.09#公开
摘要：本发明提供铱锑合金在制备基于铁电性的电子器件中的用途，其中，所述铱锑合金具有以下化学式：Ir1‑xMxSb1+δ或Ir1‑δSb1‑xQx，其中0≤x≤0.2，0≤δ≤0.2；M选自Ru、Rh、Pd和Pt中的一种或几种；Q选自Sn、Ge和As中的一种或几种。本发明的铱锑合金可用于基于铁电性的铁电存储器、铁电场效应晶体管、铁电隧道结、压电器件或铁电忆阻器中。
主权项：1.铱锑合金在制备基于铁电性的电子器件中的用途，其中，所述铱锑合金具有以下化学式：Ir1-xMxSb1+δ或Ir1-δSb1-xQx，其中0≤x≤0.2，0≤δ≤0.2；M选自Ru、Rh、Pd和Pt中的一种或几种；Q选自Sn、Ge和As中的一种或几种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院物理研究所 铱锑合金的用途
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