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申请/专利权人：群创光电股份有限公司
申请日：2019-05-22
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN111987112B
主分类号：H01L27/146
分类号：H01L27/146
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开
摘要：本发明公开了一种放射线感测装置。放射线感测装置包括基板以及多个半导体元件。半导体元件设置于基板上且至少一个半导体元件包括第一闸极、主动层以及第二闸极。主动层设置在第一闸极上，而第二闸极设置在主动层上。在待机状态中，第二闸极具有正偏压。第二闸极可用以于待机状态中具有正偏压，藉此对半导体元件受放射线照射后所产生的电性影响进行改善。
主权项：1.一种放射线感测装置，其特征在于，包括：一基板；多个半导体元件，设置于该基板上，该多个半导体元件中的至少一个包括：一第一闸极；一主动层，设置在该第一闸极上；以及一第二闸极，设置在该主动层上，其中，在待机状态中，该第二闸极具有正偏压；以及至少一感光元件，设置于该基板上，该至少一感光元件与该第二闸极电性连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 群创光电股份有限公司 放射线感测装置
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