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用于基板边缘均匀化的方法和设备 

申请/专利权人:应用材料公司

申请日:2018-12-13

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN111480223B

主分类号:H01L21/687

分类号:H01L21/687;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/02

优先权:["20171220 US 62/607,989","20181211 US 16/215,769"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.07.05#授权;2021.01.05#实质审查的生效;2020.07.31#公开

摘要:当基板存在时,具有用于保持该基板的顶表面的可移动的基板支撑件被与静止的盖环连同使用,以调节阴影效应以在沉积处理期间控制基板边缘均匀性。盖环通过电隔离的间隔件而保持静止,该间隔件与半导体处理腔室的处理空间中的接地屏蔽件接合。控制器响应于盖环的顶表面上的沉积材料而调节基板支撑件,以保持阴影效应和基板边缘均匀性。

主权项:1.一种控制在半导体处理腔室中的基板边缘均匀性的方法,包括以下步骤:在设置在基板支撑件上的第一基板上沉积第一材料,所述基板支撑件相对于设置在靠近所述基板支撑件的盖环保持在第一位置,所述第一位置提供所述盖环对所述第一基板的第一阴影角;在所述基板支撑件相对于所述盖环而于第二位置的随后的第二基板上沉积所述第一材料,所述第二位置不同于所述第一位置,所述第二位置保持所述盖环对于所述第二基板的第二阴影角,而补偿在所述盖环的顶表面上的沉积;确定所述盖环的所述顶表面上的沉积的厚度;和响应于所述盖环的所述顶表面上的沉积的所述厚度而移动所述基板支撑件,其中所述盖环具有环形形状,所述盖环的顶表面具有沿径向向外方向增加的倾斜,所述倾斜具有最靠近基板支撑件的下点,从所述第一基板的外周边缘画至所述盖环的所述下点的第一阴影线形成到和所述第一基板的顶表面平行的平面的所述第一阴影角,从所述第二基板的外周边缘画至所述盖环的所述下点的第二阴影线形成到和所述第二基板的顶表面平行的平面的所述第二阴影角,并且所述第二阴影角等于所述第一阴影角。

全文数据:

权利要求:

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