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申请/专利权人：一道新能源科技股份有限公司
申请日：2022-12-27
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299457A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0224
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明提供了一种N型晶硅电池正面电极钝化接触的方法、N型晶硅电池，涉及光伏技术领域。方法包括：在向光侧表面经过制备发射极后的N型晶硅基体的向光侧制备隧穿氧化硅层；在隧穿氧化硅层的向光侧制备多晶硅层；对多晶硅层进行第一硼扩散，以制备硼掺杂多晶硅层，并在硼掺杂多晶硅层向光侧的表面生成第一硼硅玻璃层；去除非电极区的第一硼硅玻璃层；去除非电极区的硼掺杂多晶硅层并保留隧穿氧化硅层；在向光侧制备氮化硅层；在向光侧制备正面电极。正面电极与发射极之间有硼掺杂多晶硅层和隧穿氧化硅层，硼掺杂多晶硅层与正面电极形成欧姆接触，隧穿氧化硅层作为钝化层且实现了载流子隧穿传输的效果，提高了N型晶硅电池的光电转换效率。
主权项：1.一种N型晶硅电池正面电极钝化接触的方法，其特征在于，所述方法包括：在向光侧表面经过制备发射极后的N型晶硅基体的向光侧制备隧穿氧化硅层；在所述隧穿氧化硅层的向光侧制备多晶硅层；对所述多晶硅层进行第一硼扩散，以制备硼掺杂多晶硅层，并在所述硼掺杂多晶硅层向光侧的表面生成第一硼硅玻璃层；去除非电极区的所述第一硼硅玻璃层，所述非电极区为位于向光侧的正面电极之外的区域；去除所述非电极区的所述硼掺杂多晶硅层并保留所述隧穿氧化硅层；在向光侧制备氮化硅层；在向光侧制备所述正面电极；所述正面电极与所述硼掺杂多晶硅层形成接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 一道新能源科技股份有限公司 N型晶硅电池正面电极钝化接触的方法、N型晶硅电池
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