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申请/专利权人：LG伊诺特有限公司
申请日：2019-01-22
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118302024A
主分类号：H10N10/17
分类号：H10N10/17;H10N10/82;H10N10/80;H10N10/855;H10N10/856
优先权：["20180123 KR 10-2018-0008421","20180205 KR 10-2018-0014198"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：根据本发明的一个实施例的热电元件包括：第一金属基板；第一树脂层，设置在所述第一金属基板上；第二树脂层，设置在所述第一树脂层上；第一电极，设置在所述第二树脂层上；半导体结构，设置在所述第一电极上；以及第二金属基板，设置在所述半导体结构上，其中所述第二树脂层包括所述第一电极与所述第一树脂层之间的第一区域以及所述第一区域之外的第二区域，其中，所述第二区域包括沿平行于所述第一金属基板的水平方向厚度减小的区域，并且其中所述第二区域的最大厚度大于所述第一树脂层的最大厚度。
主权项：1.一种热电元件，包括：第一金属基板；第一树脂层，设置在所述第一金属基板上；第二树脂层，设置在所述第一树脂层上；第一电极，设置在所述第二树脂层上；半导体结构，设置在所述第一电极上；以及第二金属基板，设置在所述半导体结构上，其中所述第二树脂层包括所述第一电极与所述第一树脂层之间的第一区域以及所述第一区域之外的第二区域，其中，所述第二区域包括沿平行于所述第一金属基板的水平方向厚度减小的区域，并且其中所述第二区域的最大厚度大于所述第一树脂层的最大厚度。
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