申请/专利权人：聚辰半导体股份有限公司

申请日：2024-04-28

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN118300586A

主分类号：H03K17/22

分类号：H03K17/22;H03K17/14;H03K17/284

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要：一种高精度快速上电复位电路，包含电压基准电路，阈值迟滞电路和输出延迟电路。本发明利用了两个三极管支路的电流随电源电压的变化率不同来控制输出高低电平的转换，阈值精度高，随工艺和温度的变化微小。本发明采用正反馈负载环路，使得阈值附近电流消耗非常小的情况下，上电复位电路的输出电平能够快速转换。因此本发明可以兼顾结构简单和性能良好的特点。

主权项：1.一种高精度快速上电复位电路，其特征在于，包含电压基准电路，阈值迟滞电路和输出延迟电路；所述电压基准电路包含：比较电路，其包含第一三极管Q1，第二三极管Q2，第一电阻R1和第二电阻R2，所述第一三极管Q1的集电极通过负载连接至电源电压VDD，所述第一三极管Q1的发射极通过串联的第一电阻R1和第二电阻R2接地，所述第二三极管Q2的集电极通过负载连接至电源电压VDD，所述第二三极管Q2的发射极通过串联的第二电阻R2接地，所述第一三极管Q1的基极和所述第二三极管Q2的基极同时连接至阈值迟滞电路；第一路负载，其包含第一PMOS管PM1和第二PMOS管PM2，所述第一PMOS管PM1的源极连接至电源电压VDD，栅极和漏极均连接至所述第一三极管Q1的集电极，所述第二PMOS管PM2的源极连接至电源电压VDD，栅极连接至所述第一三极管Q1的集电极，漏极连接至所述第二三极管Q2的集电极；第一路开关电路，其包含第五PMOS管PM5，第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2，所述第五PMOS管PM5的源极连接至电源电压VDD，栅极连接至所述第一NMOS管NM1的漏极，漏极连接至所述第一NMOS管NM1的漏极，所述第一NMOS管NM1的漏极连接至所述第五PMOS管PM5的漏极，栅极连接至所述第二NMOS管NM2的栅极，源极接地，所述第二NMOS管NM2的漏极连接至第二路开关电路中的第六PMOS管PM6的漏极，栅极连接所述第一NMOS管NM1的栅极，源极接地；第二路负载，其包含第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4，所述第三PMOS管PM3的源极连接至电源电压VDD，栅极连接至所述第二三极管Q2的集电极，漏极连接至所述第一三极管Q1的集电极，所述第四PMOS管PM4的源极连接至电源电压VDD，栅极和漏极均连接至所述第二三极管Q2的集电极；第二路开关电路，其包含第六PMOS管PM6，所述第六PMOS管PM6的源极连接至电源电压VDD，栅极连接至所述第二三极管Q2的集电极，漏极连接至第一路开关电路中的第二NMOS管NM2的漏极；所述阈值迟滞电路为所述电压基准电路提供电源电压阈值；所述输出延迟电路连接所述电压基准电路，输出整个上电复位电路的输出电平信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 聚辰半导体股份有限公司 一种高精度快速上电复位电路

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