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一种建立多孔Si负极材料锂化过程失效机制图的方法 

申请/专利权人:湘潭大学

申请日:2024-04-18

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118296898A

主分类号:G06F30/23

分类号:G06F30/23;G16C60/00;G06F119/02;G06F119/14

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要:本发明公开一种建立多孔Si负极材料锂化过程失效机制图的方法。首先通过量纲分析,建立多孔Si负极材料临界破坏状态与其孔隙率、孔隙半径之间的无量纲函数关系;然后利用有限元计算模拟软件ABAQUS及函数拟合得到其孔隙率、孔隙半径及临界破坏状态SOC的具体无量纲函数表达式,从而建立相应的失效机制图。本发明的方法对分析多孔Si负极材料在锂化过程中的失效情况非常有效,能够准确获得多孔Si负极材料在锂化过程中临界破坏状态与其孔隙率、孔隙半径之间的函数关系,得到相应的失效机制图,为指导多孔Si负极材料的结构优化及解决多孔Si负极材料的应力破坏问题提供一定的理论基础。

主权项:1.一种建立多孔Si负极材料锂化过程失效机制图的方法,其特征在于,包括如下步骤:S1.构建一个以孔隙半径、孔隙率、杨氏模量、屈服强度以及临界充电状态为自变量,破坏能为因变量的函数: 其中Γ表示破坏能,表示多孔Si负极材料的孔隙率,R0表示多孔Si负极材料的孔隙半径,E表示多孔Si负极材料的杨氏模量,σY表示多孔Si负极材料的屈服强度,SOC表示临界充电状态;S2.以E和R0作为基本物理量,破坏能、屈服强度、充电状态及孔隙率的量纲表示为:[Γ]=[E][R0][σY]=[E][R0]0 [SOC]=[E]0[R0]0利用量纲分析中的П定理,得到无量纲函数关系: S3.利用有限元计算模拟软件ABAQUS对多孔Si负极材料的应力破坏进行模拟,并利用函数拟合的方法,得到多孔Si负极材料孔隙率、孔隙半径及SOC的具体函数关系式,从而建立相应的失效机制图。

全文数据:

权利要求:

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