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申请/专利权人：上海羲禾科技有限公司
申请日：2024-06-06
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118295155A
主分类号：G02F1/01
分类号：G02F1/01;G02B6/13;G02B6/134
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本申请提供一种光缓存器、光缓存器制备方法及光学器件，涉及光信息处理技术领域。光缓存器包括：硅光平台、刻蚀设置在硅光平台上的环型波导，设置在环型波导上的热光移相器，以及与环型波导连接的可调光耦合器；可调光耦合器用于根据工作电压，调节自耦合系数；其中，自耦合系数和环型波导的衰减系数用于控制环型波导和热光移相器的工作状态；热光移相器用于基于工作状态，控制环型波导的光缓存量。通过可调光耦合器基于相应的工作电压对自身的自耦合系数进行调节，以对环型波导和热光移相器的工作状态进行调节，能够根据应用需求，对波导上的光缓存量实现连续调节，提高了光缓存量和调节精度。
主权项：1.一种光缓存器，其特征在于，所述光缓存器包括：硅光平台、刻蚀设置在所述硅光平台上的环型波导，设置在所述环型波导上的热光移相器，以及与所述环型波导连接的可调光耦合器；所述可调光耦合器用于根据工作电压，调节自耦合系数；其中，所述自耦合系数和所述环型波导的衰减系数用于控制所述环型波导和所述热光移相器的工作状态；所述热光移相器用于基于所述工作状态，控制所述环型波导的光缓存量；其中，所述自耦合系数小于所述衰减系数，所述工作状态为过耦合状态；在所述过耦合状态下，所述热光移相器上的施加电压连续增加，以根据施加电压的增大连续增加所述环型波导的光缓存量；其中，所述自耦合系数等于所述衰减系数，所述工作状态为临界耦合状态；在所述临界耦合状态下，所述热光移相器用于基于控制所述环型波导对输入的光信号进行滤波处理；其中，所述自耦合系数大于所述衰减系数，所述工作状态为欠耦合状态；在所述欠耦合状态下，所述热光移相器用于控制所述环型波导对输入的光信号进行快光处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海羲禾科技有限公司 光缓存器、光缓存器制备方法及光学器件
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