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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118294230A
主分类号：G01N1/28
分类号：G01N1/28
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本申请提供一种测试样品的制作方法及测试样品。该制作方法用于制作HEMT类外延材料进行VDP_HALL测试所使用的测试样品，该制作方法包括：手工制作第一预制样品；第一预制样品包括衬底和位于衬底上的外延层；基于预先制作的电极定位模具，将预先制作好的电极材料块，放置在外延层上的定位位置；将放置有电极材料块的第一预制样品进行加热，使电极材料块熔化形成欧姆电极，得到第二预制样品；基于预先制作的化蜡模具，在第二预制样品上覆盖蜡膜；蜡膜覆盖欧姆电极，蜡膜的形状和尺寸与测试样品的外延片的形状和尺寸相同；去除未被蜡膜覆盖的外延层，并去除蜡膜，得到测试样品。本申请可以同时兼顾测试样品一致性、低成本和短周期。
主权项：1.一种测试样品的制作方法，其特征在于，所述测试样品为HEMT类外延材料进行VDP_HALL测试所使用的测试样品，所述测试样品的制作方法包括：手工制作第一预制样品；所述第一预制样品包括衬底和位于所述衬底上的外延层；基于预先制作的电极定位模具，将预先制作好的电极材料块，放置在所述外延层上的定位位置；将放置有所述电极材料块的第一预制样品进行加热，使所述电极材料块熔化形成欧姆电极，得到第二预制样品；基于预先制作的化蜡模具，在所述第二预制样品上覆盖蜡膜；所述蜡膜覆盖所述欧姆电极，所述蜡膜的形状和尺寸与所述测试样品的外延片的形状和尺寸相同；去除未被所述蜡膜覆盖的外延层，并去除所述蜡膜，得到所述测试样品。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 测试样品的制作方法及测试样品
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