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申请/专利权人：重庆西南集成电路设计有限责任公司
摘要：本申请公开了一种多级幅相电路调幅‑调相优化方法，包括：从第n级衰减器至第1级衰减器依次执行第一校准过程、从第m级移相器至第1级移相器依次执行第二校准过程；第一校准过程包括：确定每一级衰减器的第一实际状态值，通过对应第n级衰减器的衰减状态关联系数对第一实际状态值进行校准，得到第一校准状态值；第二校准过程包括：确定每一级移相器的第二实际状态值，通过对应第m级移相器的移相状态关联系数对第二实际状态值进行校准，得到第二校准状态值。本申请实现了不同层级间状态值的精准优化和闭环控制，同时该方法通过关联系数实现了衰减和相位的联动，优化了幅相筛选方式，解决了使用传统方法精度较低、相关性考虑缺乏等系列问题。
主权项：1.一种多级幅相电路调幅-调相优化方法，所述多级幅相电路包括第1级至第n级衰减器和第1级至第m级移相器，其特征在于，所述方法包括：以螺旋迭代的方式，从第n级衰减器至第1级衰减器依次执行第一校准过程；所述第一校准过程包括：确定每一级衰减器的第一实际状态值，通过对应第n级衰减器的衰减状态关联系数对所述第一实际状态值进行校准，得到第一校准状态值；以螺旋迭代的方式，从第m级移相器至第1级移相器依次执行第二校准过程；所述第二校准过程包括：确定每一级移相器的第二实际状态值，通过对应第m级移相器的移相状态关联系数对所述第二实际状态值进行校准，得到第二校准状态值；其中，所述衰减状态关联系数与所述移相状态关联系数均通过预先标定的衰减偏移矩阵和预先标定的相位偏移矩阵建立，所述衰减状态关联系数是基于移相对衰减产生的影响建立的，所述移相状态关联系数是基于衰减对移相产生的影响建立的；所述衰减偏移矩阵表示每级衰减器的实际状态值与理想状态值的差值，所述相位偏移矩阵表示每级移相器的实际状态值与理想状态值的差值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆西南集成电路设计有限责任公司 一种多级幅相电路调幅-调相优化方法、装置、介质及设备
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