申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司

申请日：2019-06-10

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN112073054B

主分类号：H03K19/0185

分类号：H03K19/0185

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2022.05.27#实质审查的生效;2020.12.11#公开

摘要：本发明公开了一种电平转换器，包括输出端、第一、第二输入端、锁存器电路、电平翻转下拉电路和电压钳位电路；锁存器电路包括第一、第二PMOS管、第一、第二NMOS管；电压钳位电路包括第一、第二钳位器件、第三、第四NMOS管、第五和第六PMOS管；电平翻转下拉电路包括第五和第六NMOS管；第一钳位器件用于钳制第五、第六PMOS管的栅极的电压；第二钳位器件用于钳制第三、第四NMOS管的栅极的电压。本发明在高压驱动信号地电平变化的情况下高速、低功耗地完成电平转换，成本较低。通过电压钳位电路可以保护电平转换器中晶体管器件的栅氧化层不被击穿，隔离输出端高压的作用；通过锁存器电路及电平翻转下拉电路实现了零静态功耗和电平快速翻转，具有强驱动能力。

主权项：1.一种电平转换器，包括输出端、第一输入端和第二输入端，所述第一输入端和所述第二输入端的输入信号为两个互补的低压逻辑信号，其特征在于，所述电平转换器还包括锁存器电路、电平翻转下拉电路和电压钳位电路；所述锁存器电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；所述电压钳位电路包括第一钳位器件、第二钳位器件、第三NMOS管、第四NMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管；所述电平翻转下拉电路包括第五NMOS管和第六NMOS管；所述第一PMOS管的源级、所述第二PMOS管的源级分别与模拟电源电连接；所述第一PMOS管的漏极、所述第五PMOS管的源级、所述第二PMOS管的栅极以及所述第五NMOS管的漏极电连接；所述第二PMOS管的漏极、所述第六PMOS管的源级、所述第一PMOS管的栅极以及所述第六NMOS管的漏极电连接；所述第五PMOS管的漏极与所述第三NMOS管的漏极电连接；所述第六PMOS管的漏极、所述第四NMOS管的漏极与所述输出端电连接；所述第三NMOS管的源级、所述第一NMOS管的漏极以及所述第二NMOS管的栅极电连接；所述第四NMOS管的源级、所述第二NMOS管的漏极以及所述第一NMOS管的栅极电连接；所述第一NMOS管的源级、所述第二NMOS管的源级与参考地电连接；所述第五NMOS管的栅极与所述第一输入端电连接；所述第六NMOS管的栅极与所述第二输入端电连接；所述第五NMOS管的源级、所述第六NMOS管的源级与数字地电连接；所述第一钳位器件用于钳制所述第五PMOS管的栅极的电压以及所述第六PMOS管的栅极的电压，以使得所述第五PMOS管的栅氧化层以及所述第六PMOS管的栅氧化层不被击穿；所述第二钳位器件用于钳制所述第三NMOS管的栅极的电压以及所述第四NMOS管的栅极的电压，以使得所述第三NMOS管的栅氧化层以及所述第四NMOS管的栅氧化层不被击穿。

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