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一种发声单元和发声单元的制作方法 

申请/专利权人:地球山(苏州)微电子科技有限公司

申请日:2024-05-10

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118138971B

主分类号:H04R9/06

分类号:H04R9/06;H04R9/02;H04R31/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.28#授权;2024.06.21#实质审查的生效;2024.06.04#公开

摘要:本发明公开了一种发声单元和发声单元的制作方法,涉及数字式扬声器技术领域,以解决振膜仅能向靠近固定电极的方向运动,因此振膜的位移距离等于振膜的原始位置与固定电极之间的距离,导致发声单元的声压级较小的问题。所述发声单元包括:电极层设置于具有空腔的半导体基底,沿电极层的高度方向,电极层上开设有贯穿电极层的通孔,通孔与空腔连通。环形第一支撑结构设置于电极层,振膜结构设置于环形第一支撑结构。振膜结构与电极层之间具有间隙,振膜结构包括振膜和位于振膜外围的悬臂梁,振膜与通孔相对设置,环形第二支撑结构设置于振膜结构。环形振动停止层设置于环形第二支撑结构,环形振动停止层与振膜之间具有间隙,用于阻挡振膜。

主权项:1.一种发声单元,其特征在于,包括:半导体基底,具有空腔;电极层,设置于所述半导体基底;沿所述电极层的高度方向,所述电极层上开设有至少一个通孔,所述通孔贯穿所述电极层;所述通孔与所述空腔连通且相对设置;环形第一支撑结构,设置于所述电极层;振膜结构,设置于所述环形第一支撑结构;所述振膜结构与所述电极层之间具有间隙;所述振膜结构包括振膜和位于所述振膜外围的悬臂梁,所述振膜与所述通孔相对设置;环形第二支撑结构,设置于所述振膜结构;环形振动停止层,设置于所述环形第二支撑结构;所述环形振动停止层与所述振膜之间具有间隙,所述环形振动停止层用于阻挡所述振膜。

全文数据:

权利要求:

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