申请/专利权人：瓴芯电子科技(无锡)有限公司

申请日：2024-02-04

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN117687465B

主分类号：G05F1/56

分类号：G05F1/56

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：一种源极跟随器及低压差线性稳压器，所述源极跟随器包括：基础源极跟随模块以及电压调整模块，其中：所述基础源极跟随模块，其输入端为所述源极跟随器的输入端，其输出端为所述源极跟随器的输出端；所述电压调整模块，其输入端输入电源电压，其输出端与所述源极跟随器的输出端耦接；所述电压调整模块适于在所述电源电压发生变化时，对所述源极跟随器的输出电压进行相同方向的调整。采用上述方案，低压差线性稳压器的输出电压随电源电压的变换程度减缓。

主权项：1.一种源极跟随器，应用于低压差线性稳压器，其特征在于，所述源极跟随器包括：基础源极跟随模块以及电压调整模块，其中：所述基础源极跟随模块，其输入端为所述源极跟随器的输入端，其输出端为所述源极跟随器的输出端；所述基础源极跟随模块包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、电流源、三极管、第一NMOS管以及第二NMOS管，其中：所述第一PMOS管，其源极输入电源电压，其栅极与其漏极耦接，其漏极与所述电流源的第一端耦接；所述电流源的第二端接地；所述第二PMOS管，其源极输入所述电源电压，其栅极与所述第一PMOS管的栅极耦接，其漏极与所述第一NMOS管的漏极耦接；所述第三PMOS管，其源极输入所述电源电压，其栅极与所述第一PMOS管的栅极耦接，其漏极与所述第四PMOS管的源极耦接；所述第四PMOS管，其栅极为所述源极跟随器的输入端，输入控制信号，其漏极与所述第二NMOS管的漏极耦接且为所述源极跟随器的输出端；所述第一NMOS管，其栅极与其漏极耦接，其源极接地；所述第二NMOS管，其栅极与所述第一NMOS管的栅极耦接，其源极接地；所述三极管，其集电极与所述第三PMOS管的漏极耦接，其基极与所述第四PMOS管的漏极耦接，其发射极接地；所述电压调整模块，其输入端输入电源电压，其输出端与所述源极跟随器的输出端耦接；所述电压调整模块适于在所述电源电压发生变化时，对所述源极跟随器的输出电压进行相同方向的调整；所述电压调整模块包括：第五PMOS管、第六PMOS管、第三NMOS管以及阻隔模块，其中：所述第五PMOS管，其源极输入所述电源电压，其栅极与其漏极耦接，其漏极与所述第三NMOS管的漏极耦接；所述第六PMOS管，其源极输入所述电源电压，其漏极与所述基础源极跟随模块的输出端耦接；所述第三NMOS管，其栅极与所述基础源极跟随模块的偏置电流输出端耦接，其源极接地；所述阻隔模块，其第一端与所述第五PMOS管的栅极耦接，其第二端与所述第六PMOS管的栅极耦接；所述阻隔模块适于在所述电源电压发生变化时，阻断所述第六PMOS管的栅极电压发生变化。

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