龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：华中科技大学
申请日：2022-07-14
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN115349844B
主分类号：A61B5/0515
分类号：A61B5/0515;G01R33/12
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2022.12.06#实质审查的生效;2022.11.18#公开
摘要：本发明公开了一种基于磁光透射率的磁纳米粒子成像方法及装置，属于纳米材料测试技术领域。通过激光照射待检测目标区域，计算磁纳米粒子的第一透射光强，在外加磁场的作用下，利用磁纳米粒子的磁响应特性使得透过磁纳米粒子的光的透过率发生变化，通过计算变化后的第二透射光强，得到磁纳米粒子的磁光透射率，基于该磁光透射率与磁纳米粒子浓度及温度的关系，可以得到待检测目标区域内的磁纳米粒子的浓度及温度，进而实现对目标区域内磁纳米粒子成像。本发明结合了光学成像的高时空分辨优势，又能够实现在微量造影剂时对组织特异性的功能成像，成像方式简单且成像效果好。
主权项：1.一种基于磁光透射率的磁纳米粒子成像方法，其特征在于，包括浓度成像步骤：测量目标区域的温度，在所述温度下，计算磁纳米粒子的磁光透射率RB，根据所述磁光透射率RB与目标区域内磁纳米粒子的浓度c之间满足：c＝kRB，计算目标区域内磁纳米粒子的浓度c，对目标区域内的磁纳米粒子浓度成像，其中，k表示比例系数；其中，计算磁纳米粒子的磁光透射率RB的步骤包括：步骤S1、产生入射激光照射目标区域，计算所述入射激光透过磁纳米粒子后的第一透射光强I0；步骤S2、在目标区域内产生激励磁场B，计算所述入射激光在所述激励磁场下透过磁纳米粒子后的第二透射光强IB；步骤S3、根据所述第一透射光强I0、所述第二透射光强IB与磁纳米粒子的磁光透射率RB之间满足的关系得到所述磁纳米粒子的磁光透射率RB。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种基于磁光透射率的磁纳米粒子成像方法及装置
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号