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申请/专利权人：电化株式会社
摘要：本发明涉及一种固溶有铕的β型塞隆荧光体粒子。将通过对上述荧光体粒子的截面利用能量分散型X射线分析法进行分析而求出的上述荧光体粒子的表面部分的Si原子的元素浓度设为Ps[at％]，将通过利用相同方法进行分析而求出的上述荧光体粒子的中心附近的Si原子的元素浓度设为Pc[at％]，此时，Pc－Ps的值为3at％以上。
主权项：1.一种β型塞隆荧光体粒子的制造方法，所述β型塞隆荧光体粒子是固溶有铕的β型塞隆荧光体粒子，将通过对所述荧光体粒子的截面利用能量分散型X射线分析法进行分析而求出的所述荧光体粒子的表面部分的Si原子的元素浓度设为Ps且单位为at％，将通过利用相同方法进行分析而求出的所述荧光体粒子的中心附近的Si原子的元素浓度设为Pc且单位为at％，此时，Pc－Ps的值为3at％以上；所述制造方法包含如下的工序：第一煅烧工序，对包含第一铕化合物的第一原料粉末进行煅烧，得到包含β型塞隆粒子的第一煅烧粉，第二煅烧工序，对得到的第一煅烧粉和包含第二铕化合物的第二原料粉末进行煅烧，得到所述β型塞隆荧光体粒子；所述第二煅烧工序中的煅烧温度为1800℃～2100℃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电化株式会社 β型塞隆荧光体粒子和发光装置
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