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申请/专利权人：江苏吉莱微电子股份有限公司;成都吉莱芯科技有限公司
摘要：本发明涉及电子科学与技术领域，具体为一种维持电压可调的多端口ESD保护器件，包括SOI衬底，所述SOI衬底由N型衬底层、中间埋氧层及顶部N型半导体层叠加而成；所述顶部N型半导体层上形成有三个结构单元，分别为正偏二极管单元、反偏二极管单元和NPN三极管单元，其中NPN三极管单元包括设置于顶部N型半导体层上的P型阱区以及设置在P型阱区上的P+扩散1区、P+扩散2区和N+扩散区，P+扩散2区的注入位置或者注入浓度可根据需要调整，且P+扩散2区上还设置有N+扩散区。同时公开了该ESD保护器件的制作方法，以实现本发明的有益效果：寄生电容减小了20%，SOI的引入解决了NPN的寄生问题；维持电压可调功能是通过P+扩散2区实现，避免了高温推结过程，减少了制造过程中的热预算；可以实现多端口的ESD保护，ESD能力大于30KV，820µs下允许通过的峰值电流达到13A，为高速通信接口的ESD保护提供一种解决方案。
主权项：1.一种维持电压可调的多端口ESD保护器件，其特征在于：包括SOI衬底，所述SOI衬底由N型衬底层、中间埋氧层及顶部N型半导体层叠加而成；所述顶部N型半导体层上形成有三个结构单元，分别为正偏二极管单元、反偏二极管单元和NPN三极管单元，其中NPN三极管单元包括设置于顶部N型半导体层上的P型阱区以及设置在P型阱区上的P+扩散1区、P+扩散2区和N+扩散区，P+扩散2区的注入位置或者注入浓度可根据需要调整，且P+扩散2区上还设置有N+扩散区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏吉莱微电子股份有限公司 成都吉莱芯科技有限公司 一种维持电压可调的多端口ESD保护器件及其制作方法
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