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申请/专利权人：北京特思迪半导体设备有限公司
摘要：本发明提供一种用于原位测量膜厚的方法、参考光谱生成方法及设备，所述方法包括：获取具有第一类层和第二类层的光谱计算模型，其中所述第二类层位于所述第一类层和晶圆薄膜之间；确定所述第一类层、所述第二类层、所述晶圆薄膜和晶圆基底的光谱参数；利用所述光谱参数和所述光谱计算模型计算不同给定所述晶圆薄膜的厚度下的参考光谱。
主权项：1.一种用于原位测量膜厚的参考光谱生成方法，其特征在于，包括：获取具有第一类层和第二类层参数的光谱计算模型，其中所述第二类层位于所述第一类层和晶圆薄膜之间；确定所述第一类层、所述第二类层、所述晶圆薄膜和晶圆基底的光谱参数；利用所述光谱参数和所述光谱计算模型计算不同给定所述晶圆薄膜的厚度下的参考光谱。
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权利要求：
百度查询： 北京特思迪半导体设备有限公司 用于原位测量膜厚的方法、参考光谱生成方法及设备
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