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申请/专利权人：合肥工业大学
申请日：2024-03-22
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118262760A
主分类号：G11C11/412
分类号：G11C11/412;G11C11/419
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种基于六列输入分离反相器的抗单粒子双翻转的SRAM单元，包括循环存储模块和六个传输管；循环存储模块由六个输入分离反相器组成，包括第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4、第五反相器INV5、第六反相器INV6；六个传输管包括第一传输管N7、第二传输管N8、第三传输管N9、第四传输管N10、第五传输管N11、第六传输管N12；第一传输管N7、第二传输管N8、第三传输管N9、第四传输管N10、第五传输管N11、第六传输管N12的栅极均作为SRAM单元读写数据的开关，漏极连接位线控制读写的数据，源极分别连接存储模块的存储节点。本发明使用了六个传输管和环形结构，SRAM单元节省读延迟和写延迟，环形结构产生的正反馈循环使SRAM单元从软错误中恢复。
主权项：1.一种基于六列输入分离反相器的抗单粒子双翻转的SRAM单元，其特征在于：包括循环存储模块和六个传输管；所述循环存储模块由六个输入分离反相器组成，包括第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4、第五反相器INV5、第六反相器INV6；所述六个传输管包括第一传输管N7、第二传输管N8、第三传输管N9、第四传输管N10、第五传输管N11、第六传输管N12；所述第一传输管N7、第二传输管N8、第三传输管N9、第四传输管N10、第五传输管N11、第六传输管N12的栅极均作为SRAM单元读写数据的开关，漏极连接位线控制读写的数据，源极分别连接存储模块的存储节点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥工业大学 基于六列输入分离反相器的抗单粒子双翻转的SRAM单元
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