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申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日：2022-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118264251A
主分类号：H03M1/38
分类号：H03M1/38
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请公开了一种SARADC芯片、电子设备、控制方法及控制设备。SARADC芯片包括：采样开关和采样电容阵列、第一控制电路和第二控制电路；所述采样开关为DWSNMOS管；所述采样开关的栅极与所述第一控制电路连接，所述采样开关的漏极与共模信号连接，所述采样开关的源极与所述采样电容阵列的上极板连接，所述采样开关的衬底与所述第二控制电路连接；其中，在采样结束后，所述第一控制电路用于控制所述采样开关的栅极电压为负电压；所述第二控制电路用于控制所述采样开关的衬底悬空。本申请可以提高ADC性能。
主权项：1.一种SARADC芯片，其特征在于，包括：采样开关和采样电容阵列、第一控制电路和第二控制电路；所述采样开关为DWSNMOS管；所述采样开关的栅极与所述第一控制电路连接，所述采样开关的漏极与共模信号连接，所述采样开关的源极与所述采样电容阵列的上极板连接，所述采样开关的衬底与所述第二控制电路连接；其中，在采样结束后，所述第一控制电路用于控制所述采样开关的栅极电压为负电压；所述第二控制电路用于控制所述采样开关的衬底悬空。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 SAR ADC芯片、电子设备、控制方法及控制设备
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