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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118259562A
主分类号：G03F9/00
分类号：G03F9/00;H01L21/66;H01L21/82;H01L21/308
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供了一种晶圆表面平整度的补偿方法、补偿系统及存储介质，补偿方法包括：在光刻机外对晶圆的表面进行探测，以获取所述晶圆上半径为第一设定值的区域的第一平整度信息以及所述晶圆上半径在所述第一设定值到第二设定值之间的区域的第二平整度信息；在光刻机内对晶圆的表面进行探测，以获取晶圆上半径为第一设定值的区域的第三平整度信息；将第一平整度信息和第三平整度信息进行对比，从而获得二者之间的校准关系；根据校准关系对第二平整度信息进行校准，从而得到第四平整度信息；将第三平整度信息和第四平整度信息整合，从而得到晶圆表面的完整平整度信息；在光刻机曝光时，调用完整平整度信息对光刻机的镜头进行焦距补偿。本发明可以获得比较接近真实情况的晶圆边缘的平整度信息，从而应用到光刻机的曝光过程中，确保了整片晶圆在曝光过程中都能保持在最佳的焦距下，降低了离焦缺陷的发生。
主权项：1.一种晶圆表面平整度的补偿方法，其特征在于，包括：在光刻机外对晶圆的表面进行探测，以获取所述晶圆上半径为第一设定值的区域的第一平整度信息以及所述晶圆上半径在所述第一设定值到第二设定值之间的区域的第二平整度信息，所述第二设定值大于所述第一设定值；在所述光刻机内对所述晶圆的表面进行探测，以获取所述晶圆上半径为第一设定值的区域的第三平整度信息；将所述第一平整度信息和所述第三平整度信息进行对比，从而获得二者之间的校准关系；根据所述校准关系对所述第二平整度信息进行校准，从而得到第四平整度信息；将所述第三平整度信息和所述第四平整度信息整合，从而得到所述晶圆表面的完整平整度信息；在所述光刻机曝光时，调用所述完整平整度信息对所述光刻机的镜头进行焦距补偿。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 晶圆表面平整度的补偿方法、补偿系统及存储介质
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