龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：浙江芯科半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种梯形氮化镓微米线阵列光电探测器及其制备方法，该探测器包括：硅衬底；二氧化硅绝缘层，间隔形成在所述硅衬底上，以使未覆盖所述二氧化硅绝缘层的衬底上形成若干凹槽结构；氮化镓微米线，形成在所述凹槽结构内，并且所述微米线延伸方向与凹槽结构延伸方向一致，并且使得氮化镓微米线高于所述二氧化硅绝缘层；氮化铝缓冲层，形成在所述凹槽结构的氮化镓微米线内部；若干金属电极，设置在所述氮化镓微米线和所述二氧化硅绝缘层上方且与所述凹槽结构方向垂直。该光电探测器的光暗电流高、响应迅速、开关电流比高以及探测范围广等良好特性，并且器件结构易于生长制造。
主权项：1.一种梯形氮化镓微米线阵列光电探测器制备方法，其特征在于，包括：S1、提供一硅衬底；S2、在所述硅衬底上沉积二氧化硅绝缘层；S3、对所述二氧化硅绝缘层进行刻蚀，形成用于生长微米线的若干凹槽结构；S4、在所述凹槽结构内外延生长氮化镓微米线并且使得氮化镓微米线高于所述二氧化硅绝缘层，其中，所述氮化镓微米线的延伸方向与凹槽结构的延伸方向一致，所述氮化镓微米线的横截面形状为梯形，所述梯形的高与所述硅衬底所在的平面垂直，下底与所述凹槽底部接触；S5、在所述微米线表面蒸镀若干金属电极，所述若干金属电极的延伸方向与所述凹槽结构的延伸方向垂直；所述S3步骤包括：S31、在所述二氧化硅绝缘层表面旋涂一层光刻胶，通过前烘、曝光、后烘以及显影后使所述二氧化硅绝缘层表面形成周期性排列的条形外延图形；S32、根据所述条形外延图形对所述二氧化硅绝缘层进行选择性刻蚀，然后对所述二氧化硅绝缘层进行去胶处理，得到用于生长微米线的若干凹槽结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江芯科半导体有限公司 一种梯形氮化镓微米线阵列光电探测器及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号