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申请/专利权人：安徽大学
摘要：基于掺杂引入电子态材料制备日盲紫外探测器的方法，掺杂的p‑型二维材料与n‑型二维层状薄膜半导体材料制备异质结，n‑型二维层状薄膜半导体材料包含In2Se3、MoSe2、PdSe2过渡金属硒化物或过渡金属硫族化合物；p‑型二维材料是基于YxM1‑xXn化学式的二维材料，光电探测器包括在衬底上设有自下到上的结构：衬底绝缘层，n‑型二维层状薄膜材料薄膜与p‑型二维层状薄膜材料薄膜层叠放在上述n‑型二维层状薄膜材料薄膜层上成为p‑n异质结，整个异质结器件层置于所述底电极层上、顶电极层和顶栅透明电极。
主权项：1.基于掺杂引入电子态材料制备日盲紫外探测器的方法，其特征是，掺杂的p-型二维材料半导体薄膜与n-型二维层状薄膜半导体材料制备异质结，n-型二维层状薄膜半导体材料包含In2Se3、MoSe2、PdSe2过渡金属硒化物或过渡金属硫族化合物；p-型二维材料是基于YxM1-xXn化学式的二维材料，Y表示用于掺杂的过渡金属，包含Ta、Nb、Cr等过渡金属，M表示W、Mo、Re、Zr、Mn、Ti等第四周期和第五周期过渡金属，X表示S、Se、Te等硫族元素；光电探测器包括在衬底上设有自下到上的结构：衬底绝缘层，所述绝缘层包括硅、二氧化硅、三氧化二铝、PMMA、PI柔性绝缘衬底；底面反射电极层，所述电极层置于所述衬底绝缘层上；n-型二维层状薄膜材料薄膜与p-型二维层状薄膜材料薄膜层叠放在上述n-型二维层状薄膜材料薄膜层上成为p-n异质结，整个异质结器件层置于所述底电极层上，其中异质结结区与底面反射电极层重合且紧密接触；顶电极层，所述顶电极层设置在所述p-n结上方p-型二维材料的一侧或一周；顶栅透明电极，所述的顶栅透明电极设置在p-n结正上方，包含ITO、石墨烯。
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百度查询： 安徽大学 一种基于掺杂引入电子态材料制备日盲紫外探测器的方法
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