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申请/专利权人:华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要:本发明提供一种提高PN结击穿电压的结构,包括衬底;形成于所述衬底上的N阱和P阱,以及用于隔离所述N阱和所述P阱的浅沟槽隔离;形成于所述浅沟槽隔离上的场板结构,其用于改善PN结处的电场线,以增加所述PN结的击穿电压。本发明引入场板结构,改善在PN结处的电场线,从而增加结隔离击穿电压。
主权项:1.一种提高PN结击穿电压的结构,其特征在于,至少包括:衬底;形成于所述衬底上的N阱和P阱,以及用于隔离所述N阱和所述P阱的浅沟槽隔离;形成于所述浅沟槽隔离上的场板结构,其用于改善PN结处的电场线,以增加所述PN结的击穿电压。
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百度查询: 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 提高PN结击穿电压的结构及其制造方法
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